Estudio de la estabilidad del silicio amorfo con celdas solares tipo Schottky

Authors

  • J. A. Schmidt
  • M. Cutrera
  • R. D. Arce
  • R. R. Koropecki
  • R. H. Buitrago

Abstract

A los efectos de optimizar los espesores de las capas intrínsecas en celdas solares de silicio amorfo dobles o tándem tipo pinpin, contemplando la igualdad de las fotocorrientes y buscando la menor degradación posible por Efecto Staebler- Wronski, se realizó un estudio sistemático bajo iluminación, en dispositivos tipo Schottky, variando sus espesores. Los resultados muestran que con campos eléctricos internos del orden de 104 V/cm, celdas con espesores de 2000 A presentan una degradación mínima al cabo de 24 hs de exposición a la luz. A mayores espesores la corriente de corto circuito es el parámetro que presenta mayor variación.

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Published

2022-07-06

How to Cite

Schmidt, J. A., Cutrera, M., Arce, R. D., Koropecki, R. R., & Buitrago, R. H. (2022). Estudio de la estabilidad del silicio amorfo con celdas solares tipo Schottky. Avances En Energías Renovables Y Medio Ambiente - AVERMA, (1), 5–7. Retrieved from https://portalderevistas.unsa.edu.ar/index.php/averma/article/view/2510