Celdas solares de silicio cristalino en la CNEA: últimos desarrollos

G. Azzaroni, C. G. Bolzi, C. J. Bruno, J. C. Durán, A. Frigerio, A. Lamagna, L. M. Merino, J. C. Pla, G. Venier

Resumen


Se presenta el estado actual del desarrollo de celdas solares de silicio monocristalino en la CNEA. Se describe el proceso de elaboración utilizado y las diversas alternativas para cada uno de los siguientes pasos: elaboración de la. juntura, depósito de contactos y tratamiento antirreflectante. Con respecto al primero, se discuten en detalle los resultados obtenidos mediante difusión del dopante y posterior redistribución del mismo en un horno de difusión. Asimismo, se analizan las primeras experiencias realizadas mediante implantación iónica.

El depósito de contactos se realiza por evaporación en cámara de vacío, utilizando más­caras metálicas y de fotorresina. impresas por fotolitografía. Las técnicas antirreflectantes usadas incluyen el texturado aleatorio de la superficie y el depósito de una capa antirreílec- tante de SnC>2, mediante la técnica de “spray”, o de SÍO2, por oxidación térmica.

Finalmente, se presentan las características de las mejores celdas obtenidas hasta el pre­sente y se comparan los resultados con los de simulaciones teóricas. Se alcanzaron valores máximos de tensión de circuito abierto de 560mV, densidad de corriente de cortocircuito de 30mA/cm2, factor de llenado de 0,75, y eficiencias cercanas al 10%.


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ISSN electrónico: 2796-8111

ISSN impreso: 2314-1433